NTD3055L104-1G
NTD3055L104-1G
型號:
NTD3055L104-1G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17350 Pieces
數據表:
NTD3055L104-1G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):±15V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-Pak
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:104 mOhm @ 6A, 5V
功率耗散(最大):1.5W (Ta), 48W (Tj)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
其他名稱:NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:5 Weeks
製造商零件編號:NTD3055L104-1G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:440pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):12A (Ta)
Email:[email protected]

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