NP36P06KDG-E1-AY
NP36P06KDG-E1-AY
型號:
NP36P06KDG-E1-AY
製造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13582 Pieces
數據表:
NP36P06KDG-E1-AY.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-263
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:29.5 mOhm @ 18A, 10V
功率耗散(最大):1.8W (Ta), 56W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:NP36P06KDG-E1-AY-ND
NP36P06KDG-E1-AYTR
工作溫度:175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:NP36P06KDG-E1-AY
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:3100pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:54nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 60V 36A (Tc) 1.8W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-263
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
電流 - 25°C連續排水(Id):36A (Tc)
Email:[email protected]

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