SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3
型號:
SIHG22N60E-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
14050 Pieces
數據表:
SIHG22N60E-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-247AC
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:180 mOhm @ 11A, 10V
功率耗散(最大):227W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:19 Weeks
製造商零件編號:SIHG22N60E-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1920pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:86nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
電流 - 25°C連續排水(Id):21A (Tc)
Email:[email protected]

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