LND150N3-G-P003 - Microchip Technology - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 LND150N3-G-P003

LND150N3-G-P003

簡單介紹

BYCHIPS是 LND150N3-G-P003的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的LND150N3-G-P003購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 LND150N3-G-P003與BYCHPS

購買即有保證

VGS（TH）（最大）@標識:	-
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-92-3
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1000 Ohm @ 500µA, 0V
功率耗散（最大）:	740mW (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	20 Weeks
製造商零件編號:	LND150N3-G-P003
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	10pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	-
FET型:	N-Channel
FET特點:	Depletion Mode
展開說明:	N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	500V
描述:	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	30mA (Tj)
Email:	[email protected]