LND150N3-G-P002 - Microchip Technology - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 LND150N3-G-P002

LND150N3-G-P002

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	-
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-92-3
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1000 Ohm @ 500µA, 0V
功率耗散（最大）:	740mW (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	20 Weeks
製造商零件編號:	LND150N3-G-P002
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	10pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	-
FET型:	N-Channel
FET特點:	Depletion Mode
展開說明:	N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	500V
描述:	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	30mA (Tj)
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
LND150K1-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3	在線詢價
IRL2505S	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK	在線詢價
LND150N3-G-P014	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3	在線詢價
LND150N3-G-P003	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3	在線詢價
LND150N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3	在線詢價
LND150N3-G-P013	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3	在線詢價
TPH6400ENH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP	在線詢價
FQB11N40TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK	在線詢價
HUFA75333S3S	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK	在線詢價
LND150N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3	在線詢價