購買 IXTU01N100與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 25µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-251 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
功率耗散(最大): | 25W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名稱: | Q1225942 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
製造商零件編號: | IXTU01N100 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 54pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6.9nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
描述: | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 100mA (Tc) |
Email: | [email protected] |