購買 IXFN50N80Q2與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 5.5V @ 8mA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | SOT-227B |
系列: | HiPerFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 160 mOhm @ 500mA, 10V |
功率耗散(最大): | 1135W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | SOT-227-4, miniBLOC |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Chassis Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | IXFN50N80Q2 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 13500pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 260nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 800V 50A 1135W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 800V |
描述: | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A |
Email: | [email protected] |