IRLBD59N04ETRLP
型號:
IRLBD59N04ETRLP
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
14083 Pieces
數據表:
IRLBD59N04ETRLP.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 IRLBD59N04ETRLP的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的IRLBD59N04ETRLP購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 IRLBD59N04ETRLP與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-263-5
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:18 mOhm @ 35A, 10V
功率耗散(最大):130W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IRLBD59N04ETRLP
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2190pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:50nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 40V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5
漏極至源極電壓(Vdss):40V
描述:MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
電流 - 25°C連續排水(Id):59A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求