購買 BSZ12DN20NS3GATMA1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 25µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TSDSON-8 |
系列: | OptiMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
功率耗散(最大): | 50W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerTDFN |
其他名稱: | BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3GTR-ND SP000781784 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 680pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 8.7nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
描述: | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 11.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |