購買 IPD60R600E6ATMA1與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-252 |
| 系列: | CoolMOS™ E6 |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 63W (Tc) |
| 封装: | Bulk |
| 封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 其他名稱: | SP001117094 |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
| 製造商零件編號: | IPD60R600E6ATMA1 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 440pF @ 100V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 描述: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |