IPD60R600P7ATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1

簡單介紹

BYCHIPS是 IPD60R600P7ATMA1的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的IPD60R600P7ATMA1購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 IPD60R600P7ATMA1與BYCHPS

購買即有保證

VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 80µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO252-3
系列:	CoolMOS™ P7
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	600 mOhm @ 1.7A, 10V
功率耗散（最大）:	30W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:	IPD60R600P7ATMA1DKR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	2 Weeks
製造商零件編號:	IPD60R600P7ATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	363pF @ 400V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	9nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 650V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	650V
描述:	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	6A (Tc)
Email:	[email protected]