購買 IPB26CN10NGATMA1與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 39µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 26 mOhm @ 35A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 71W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 其他名稱: | IPB26CN10N G IPB26CN10N G-ND SP000277692 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | IPB26CN10NGATMA1 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2070pF @ 50V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 31nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |