購買 IPB039N10N3 G與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 160µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-7 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.9 mOhm @ 100A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 214W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 其他名稱: | IPB039N10N3 G-ND IPB039N10N3 GTR IPB039N10N3G IPB039N10N3GATMA1 SP000482428 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
| 製造商零件編號: | IPB039N10N3 G |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 8410pF @ 50V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 117nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 6V, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |