IPB039N10N3 G
IPB039N10N3 G
型號:
IPB039N10N3 G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18560 Pieces
數據表:
IPB039N10N3 G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 160µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO263-7
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:3.9 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):214W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
其他名稱:IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3G
IPB039N10N3GATMA1
SP000482428
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:IPB039N10N3 G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:8410pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:117nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):6V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
電流 - 25°C連續排水(Id):160A (Tc)
Email:[email protected]

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