購買 HTNFET-D與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.4V @ 100µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-CDIP-EP |
系列: | HTMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
功率耗散(最大): | 50W (Tj) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | 8-CDIP Exposed Pad |
其他名稱: | 342-1078 |
工作溫度: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | HTNFET-D |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 290pF @ 28V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
描述: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | - |
Email: | [email protected] |