H7N1002LS-E
H7N1002LS-E
型號:
H7N1002LS-E
製造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET N-CH 100V LDPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16301 Pieces
數據表:
H7N1002LS-E.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 H7N1002LS-E的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的H7N1002LS-E購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 H7N1002LS-E與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:-
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:4-LDPAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:10 mOhm @ 37.5A, 10V
功率耗散(最大):100W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SC-83
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:H7N1002LS-E
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:9700pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:155nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V LDPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):75A (Ta)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求