STV160NF03LAT4 - STMicroelectronics - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 STV160NF03LAT4

STV160NF03LAT4

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	10-PowerSO
系列:	STripFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散（最大）:	210W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
工作溫度:	175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	3 (168 Hours)
製造商零件編號:	STV160NF03LAT4
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	5350pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	160nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
電流 - 25°C連續排水（Id）:	160A (Tc)
Email:	[email protected]