FGB5N60UNDF - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - IGBT - 單 FGB5N60UNDF

FGB5N60UNDF

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.4V @ 15V, 5A
測試條件:	400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	5.4ns/25.4ns
開關能量:	80µJ (on), 70µJ (off)
供應商設備封裝:	TO-263AB (D²PAK)
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	35ns
功率 - 最大:	73.5W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	35 Weeks
製造商零件編號:	FGB5N60UNDF
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	NPT
柵極電荷:	12.1nC
展開說明:	IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
描述:	IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	15A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	10A
Email:	[email protected]