EM6J1T2R - Rohm Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 EM6J1T2R

EM6J1T2R

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1V @ 100µA
供應商設備封裝:	EMT6
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
功率 - 最大:	150mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-563, SOT-666
其他名稱:	EM6J1T2RTR
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	10 Weeks
製造商零件編號:	EM6J1T2R
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	115pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	1.4nC @ 4.5V
FET型:	2 P-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
展開說明:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
電流 - 25°C連續排水（Id）:	200mA
Email:	[email protected]