SI7901EDN-T1-GE3
SI7901EDN-T1-GE3
型號:
SI7901EDN-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12873 Pieces
數據表:
SI7901EDN-T1-GE3.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 SI7901EDN-T1-GE3的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的SI7901EDN-T1-GE3購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 SI7901EDN-T1-GE3與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 800µA
供應商設備封裝:PowerPAK® 1212-8 Dual
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
功率 - 最大:1.3W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® 1212-8 Dual
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:SI7901EDN-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:18nC @ 4.5V
FET型:2 P-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
電流 - 25°C連續排水(Id):4.3A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求