DMT6009LFG-13 - Diodes Incorporated - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PowerDI3333-8
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	10 mOhm @ 13.5A, 10V
功率耗散（最大）:	2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerWDFN
其他名稱:	DMT6009LFG-13DI
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	16 Weeks
製造商零件編號:	DMT6009LFG-13
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1925pF @ 30V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	33.5nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
描述:	MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
電流 - 25°C連續排水（Id）:	11A (Ta), 34A (Tc)
Email:	[email protected]