DMN10H099SFG-13 - Diodes Incorporated - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PowerDI3333-8
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	80 mOhm @ 3.3A, 10V
功率耗散（最大）:	980mW (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerWDFN
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	16 Weeks
製造商零件編號:	DMN10H099SFG-13
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1172pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	25.2nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	MOSFET N-CH 100V 4.2A
電流 - 25°C連續排水（Id）:	4.2A (Ta)
Email:	[email protected]