DMN1019UVT-13 - Diodes Incorporated - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	800mV @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TSOT-26
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.73W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:	DMN1019UVT-13DI
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	DMN1019UVT-13
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2588pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	50.4nC @ 8V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
漏極至源極電壓（Vdss）:	12V
描述:	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
電流 - 25°C連續排水（Id）:	10.7A (Ta)
Email:	[email protected]