購買 C3M0120100J與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| Vgs(最大): | +15V, -4V |
| 技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 供應商設備封裝: | D2PAK-7 |
| 系列: | C3M™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| 功率耗散(最大): | 83W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | C3M0120100J |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 600V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 21.5nC @ 15V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 15V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
| 描述: | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |