C3M0120100K
C3M0120100K
型號:
C3M0120100K
製造商:
Cree
描述:
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
14174 Pieces
數據表:
C3M0120100K.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 3mA
Vgs(最大):±15V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
系列:C3M™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:170 mOhm @ 15A, 15V
功率耗散(最大):83W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:4-SIP
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:C3M0120100K
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:350pF @ 600V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:21.5nC @ 15V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1000V (1kV) 22A 83W (Tc) Through Hole
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):15V
漏極至源極電壓(Vdss):1000V (1kV)
描述:1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
電流 - 25°C連續排水(Id):22A
Email:[email protected]

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