購買 C3M0120100K與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 3mA |
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Vgs(最大): | ±15V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
系列: | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 170 mOhm @ 15A, 15V |
功率耗散(最大): | 83W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | 4-SIP |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | C3M0120100K |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 21.5nC @ 15V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 22A 83W (Tc) Through Hole |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
描述: | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 22A |
Email: | [email protected] |