購買 VP0808B-E3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-39 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5 Ohm @ 1A, 10V |
功率耗散(最大): | 6.25W (Ta) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | VP0808B-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 150pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | - |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 80V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
描述: | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 880mA (Ta) |
Email: | [email protected] |