購買 VMO580-02F與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 50mA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | Y3-Li |
系列: | HiPerFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.8 mOhm @ 430A, 10V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | Y3-Li |
其他名稱: | Q1221985A VMO58002F |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Chassis Mount |
製造商零件編號: | VMO580-02F |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 2750nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 200V 580A Chassis Mount Y3-Li |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
描述: | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 580A |
Email: | [email protected] |