購買 TPN1110ENH,L1Q與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 200µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
系列: | U-MOSVIII-H |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
功率耗散(最大): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerVDFN |
其他名稱: | TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENHL1QTR |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | TPN1110ENH,L1Q |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 600pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
描述: | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 7.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |