TPN1110ENH,L1Q
型號:
TPN1110ENH,L1Q
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17527 Pieces
數據表:
TPN1110ENH,L1Q.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 200µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-TSON Advance (3.3x3.3)
系列:U-MOSVIII-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:114 mOhm @ 3.6A, 10V
功率耗散(最大):700mW (Ta), 39W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENHL1QTR
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:TPN1110ENH,L1Q
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:600pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:7nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
漏極至源極電壓(Vdss):200V
描述:MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
電流 - 25°C連續排水(Id):7.2A (Ta)
Email:[email protected]

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