TPH1R712MD,L1Q
型號:
TPH1R712MD,L1Q
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15483 Pieces
數據表:
TPH1R712MD,L1Q.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.2V @ 1mA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SOP Advance (5x5)
系列:U-MOSVI
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
功率耗散(最大):78W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QTR
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:TPH1R712MD,L1Q
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:10900pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:182nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 20V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
電流 - 25°C連續排水(Id):60A (Tc)
Email:[email protected]

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