TPCF8B01(TE85L,F,M
TPCF8B01(TE85L,F,M
型號:
TPCF8B01(TE85L,F,M
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13366 Pieces
數據表:
1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.2V @ 200µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:VS-8 (2.9x1.9)
系列:U-MOSIII
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
功率耗散(最大):330mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SMD, Flat Lead
其他名稱:TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01(TE85L,F)-ND
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01FTR
TPCF8B01FTR-ND
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:TPCF8B01(TE85L,F,M
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:470pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:6nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特點:Schottky Diode (Isolated)
展開說明:P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9)
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
電流 - 25°C連續排水(Id):2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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