TK9A60D(STA4,Q,M)
TK9A60D(STA4,Q,M)
型號:
TK9A60D(STA4,Q,M)
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
19517 Pieces
數據表:
TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220SIS
系列:π-MOSVII
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:830 mOhm @ 4.5A, 10V
功率耗散(最大):45W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3 Full Pack
其他名稱:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:TK9A60D(STA4,Q,M)
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1200pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:24nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 600V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
電流 - 25°C連續排水(Id):9A (Ta)
Email:[email protected]

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