TK39J60W,S1VQ
TK39J60W,S1VQ
型號:
TK39J60W,S1VQ
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18729 Pieces
數據表:
TK39J60W,S1VQ.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.7V @ 1.9mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-3P(N)
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:65 mOhm @ 19.4A, 10V
功率耗散(最大):270W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-3P-3, SC-65-3
其他名稱:TK39J60W,S1VQ(O
TK39J60WS1VQ
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:TK39J60W,S1VQ
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:4100pF @ 300V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:110nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:Super Junction
展開說明:N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
電流 - 25°C連續排水(Id):38.8A (Ta)
Email:[email protected]

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