TK30E06N1,S1X
TK30E06N1,S1X
型號:
TK30E06N1,S1X
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
14406 Pieces
數據表:
TK30E06N1,S1X.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220
系列:U-MOSVIII-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:15 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散(最大):53W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:TK30E06N1,S1X
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1050pF @ 30V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:16nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 60V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
電流 - 25°C連續排水(Id):43A (Ta)
Email:[email protected]

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