TK12E60W,S1VX
TK12E60W,S1VX
型號:
TK12E60W,S1VX
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13107 Pieces
數據表:
TK12E60W,S1VX.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.7V @ 600µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:300 mOhm @ 5.8A, 10V
功率耗散(最大):110W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:TK12E60W,S1VX
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:890pF @ 300V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:25nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:Super Junction
展開說明:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
電流 - 25°C連續排水(Id):11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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