STW56N65M2-4 - STMicroelectronics - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 STW56N65M2-4

STW56N65M2-4

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±25V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-247-4L
系列:	MDmesh™ M2
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	62 mOhm @ 24.5A, 10V
功率耗散（最大）:	358W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-247-4
其他名稱:	497-15373-5
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	22 Weeks
製造商零件編號:	STW56N65M2-4
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	3900pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	93nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4L
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	650V
描述:	MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
電流 - 25°C連續排水（Id）:	49A (Tc)
Email:	[email protected]