STS19N3LLH6
STS19N3LLH6
型號:
STS19N3LLH6
製造商:
ST
描述:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12751 Pieces
數據表:
STS19N3LLH6.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SO
系列:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
功率耗散(最大):2.7W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:497-12677-2
STS19N3LLH6-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:STS19N3LLH6
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1690pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:17nC @ 15V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
電流 - 25°C連續排水(Id):19A (Tc)
Email:[email protected]

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