STH180N10F3-2
STH180N10F3-2
型號:
STH180N10F3-2
製造商:
ST
描述:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18061 Pieces
數據表:
STH180N10F3-2.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:H²PAK
系列:STripFET™ III
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:4.5 mOhm @ 60A, 10V
功率耗散(最大):315W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
其他名稱:497-11216-2
STH180N10F32
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:18 Weeks
製造商零件編號:STH180N10F3-2
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:6665pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:114.6nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H²PAK
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):180A (Tc)
Email:[email protected]

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