購買 SQR70090ELR_GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | D-PAK (TO-252) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大): | 136W (Tc) |
封裝/箱體: | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
製造商零件編號: | SQR70090ELR_GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3500pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 65nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 100V 86A (Tc) 136W (Tc) Through Hole D-PAK (TO-252) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
描述: | MOSFET N-CH 100V 86A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 86A (Tc) |
Email: | [email protected] |