SQM120N10-3M8_GE3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-263 (D²Pak)
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3.8 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散（最大）:	375W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	18 Weeks
製造商零件編號:	SQM120N10-3M8_GE3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	7230pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	190nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
電流 - 25°C連續排水（Id）:	120A (Tc)
Email:	[email protected]