SIR692DP-T1-RE3
SIR692DP-T1-RE3
型號:
SIR692DP-T1-RE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15709 Pieces
數據表:
SIR692DP-T1-RE3.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 SIR692DP-T1-RE3的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的SIR692DP-T1-RE3購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 SIR692DP-T1-RE3與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8
系列:ThunderFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:63 mOhm @ 10A, 10V
功率耗散(最大):104W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8
其他名稱:SIR692DP-T1-RE3TR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:19 Weeks
製造商零件編號:SIR692DP-T1-RE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1405pF @ 125V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:30nC @ 7.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 250V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):7.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):250V
描述:MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
電流 - 25°C連續排水(Id):24.2A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求