購買 SIA850DJ-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 1.4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
系列: | LITTLE FOOT® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
其他名稱: | SIA850DJ-T1-GE3-ND SIA850DJ-T1-GE3TR SIA850DJT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SIA850DJ-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 90pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 4.5nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | Schottky Diode (Isolated) |
展開說明: | N-Channel 190V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
漏極至源極電壓(Vdss): | 190V |
描述: | MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 950mA (Tc) |
Email: | [email protected] |