購買 SIA411DJ-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SC-70-6 |
其他名稱: | SIA411DJ-T1-GE3TR SIA411DJT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SIA411DJ-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1200pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 38nC @ 8V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |