購買 SI8417DB-T2-E1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 900mV @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 6-Micro Foot™ |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 21 mOhm @ 1A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 6-MICRO FOOT™ |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI8417DB-T2-E1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2220pF @ 6V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 57nC @ 5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 12V 14.5A (Tc) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
描述: | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 14.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |