SI7860DP-T1-E3
SI7860DP-T1-E3
型號:
SI7860DP-T1-E3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17900 Pieces
數據表:
SI7860DP-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:8 mOhm @ 18A, 10V
功率耗散(最大):1.8W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8
其他名稱:SI7860DP-T1-E3-ND
SI7860DP-T1-E3TR
SI7860DPT1E3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:SI7860DP-T1-E3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:18nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id):11A (Ta)
Email:[email protected]

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