購買 SI7485DP-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 900mV @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.8W (Ta) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 |
其他名稱: | SI7485DP-T1-GE3DKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI7485DP-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 150nC @ 5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |