購買 SI7452DP-T1-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V |
功率耗散(最大): | 1.9W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI7452DP-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 160nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 60V 11.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 11.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |