SI5913DC-T1-GE3
SI5913DC-T1-GE3
型號:
SI5913DC-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18446 Pieces
數據表:
SI5913DC-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:1206-8 ChipFET™
系列:LITTLE FOOT®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:84 mOhm @ 3.7A, 10V
功率耗散(最大):1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:8-SMD, Flat Lead
其他名稱:SI5913DC-T1-GE3DKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SI5913DC-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:330pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:Schottky Diode (Isolated)
展開說明:P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
電流 - 25°C連續排水(Id):4A (Tc)
Email:[email protected]

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