購買 SI5902DC-T1-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA (Min) |
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供應商設備封裝: | 1206-8 ChipFET™ |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
功率 - 最大: | 1.1W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SMD, Flat Lead |
其他名稱: | SI5902DC-T1-E3TR SI5902DCT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI5902DC-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 7.5nC @ 10V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.9A |
Email: | [email protected] |