購買 SI5509DC-T1-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 250µA |
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供應商設備封裝: | 1206-8 ChipFET™ |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
功率 - 最大: | 4.5W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SMD, Flat Lead |
其他名稱: | SI5509DC-T1-E3TR SI5509DCT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI5509DC-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 455pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6.6nC @ 5V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 6.1A, 4.8A |
Email: | [email protected] |