購買 SI5429DU-T1-GE3與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 15 mOhm @ 7A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封裝/箱體: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 其他名稱: | SI5429DU-T1-GE3DKR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | SI5429DU-T1-GE3 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2320pF @ 15V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 63nC @ 10V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |