SI4973DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	23 mOhm @ 7.6A, 10V
功率 - 最大:	1.1W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	SI4973DY-T1-GE3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	56nC @ 10V
FET型:	2 P-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
展開說明:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
電流 - 25°C連續排水（Id）:	5.8A
Email:	[email protected]